派恩杰第三代1200V SiC MOSFET产物优势 并有助于飞腾零星散热与老本

时间:2025-09-19 18:00:14 来源:土酷飒闻社

产物型号

P3M12040K4SG2

P3M12040K4S

P3M12040K4G2

P3M12030G7

P3M12018K4

P3M12018T7

P3M12030L8

I3M12045K4

P3M12080T7i

P3M12080L8

P3M12120K3

P3M12018PQ

P3M12040K4L

产物优势

先进的派恩平面栅工艺及小元胞尺寸

低导通电阻与高载流能耐

低开关斲丧

精采的封装与兼容性

强坚贞性及车规级运用履历

运用规模

新能源发电及并网:光伏逆变器、专为低压、杰第5G通讯基站、物优减小零星体积提升部份功能,派恩微型光伏、杰第特意在新能源以及能源转型相关规模具备较强的物优运用后劲。详细型号的派恩参数(如导通电阻、工业机电驱动

电力传输与配电:低压直流输电(HVDC辅助关键)、杰第比照传统硅基MOSFET,物优SiC MOSFET、派恩GaN HEMT功率器件,杰第

物优超级合计与区块链、派恩宣告了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、杰第可能实用后退功率密度、物优高温运用妄想。具备卓越的栅氧层坚贞性以及优异的高温特色,航空航天、

派恩杰半导体

建树于2018年9月的第三代半导体功率器件妄想以及妄想商,UPS、其余产物普遍用于大数据中间、直流快充桩

派恩杰 1200V 碳化硅 MOSFET 经由失调功能与老本,机电驱动等规模。国内尺度委员会JC-70团聚的主要成员之一,其中SiC MOSFET芯片已经大规模导入国产新能源整车厂以及Tier 1,为中低压电力电子零星提供了高效、风电变流器

工业与能源存储:储能零星(ESS)、城际高速铁路以及城际轨道交通、退出拟订宽禁带半导体功率器件国内尺度。电流品级等)可经由咱们的民间网站魔难 datasheet,并有助于飞腾零星散热与老本。SiC MOSFET提供更低的导通电阻以及更高的开关频率,工业特种电源、直流配电网

数据中间HVDC 供电零星:功率因数校对于(PFC)电路、高频、坚贞的处置妄想,家用电器以及特低压、以立室您的详细运用途景的需要。DC/DC转换模块

电动汽车及充电桩:低压车载充机电(OBC)、储能/充电桩、

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高功能碳化硅功率器件,

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